存储市场面临AI需求高涨与消费终端萎靡的双重挑战

展望后市，多位受访者告诉记者，这一趋势预计将持续到明年。

TrendForce分析预测，明年传统DRAM先进制程产品价格预计将保持稳定，而成熟制程则面临价格下跌的风险。 NAND企业级和消费级产品价格仍存在差异，预计整体价格年初下跌，年中后回升。值得一提的是，被视为GPU最佳存储解决方案的HBM芯片目前仍然供不应求。除了三星、海力士等海外供应商积极扩产外，国内厂商也在“路上”。

存储市场陷入冰与火的世界。

从2023年第四季度开始，存储行业将进入强劲的涨价周期。以DRAM为例，TrendForce数据显示，从去年Q4到今年Q3，DRAM价格连续四个季度大幅上涨，季度涨幅超过10%。

不过，这次涨价主要是由于原厂家难以承受的损失，而不是需求的大幅增加。这让本就低迷的消费存储市场更加低迷。

“2024年，存储行业经历了‘冰火两重天’的市场局面。一方面，消费电子存储市场表现低迷，智能手机、笔记本电脑市场呈现旺季低迷；另一方面，人工智能对存储产品的性能提出了更高的要求，正在推动高端存储产品的价格持续上涨。”集邦咨询董事长倪黄忠在接受财经记者采访时表示。美联社在TrendForce举办的存储行业趋势研讨会上。

在此情况下，下半年存储原厂与模组、终端厂商的盈利能力将出现分化。

原三星电子今年Q3总营收达到79.1万亿韩元（约合573亿美元），同比增长17.3%，环比增长7%；海力士Q3营业收入为17.57万亿韩元，环比增长7%，同比增长94%，创历史新高。

另一方面，汇融科技CAS事业群高级副总裁段西廷告诉财联社记者，“在下游需求不旺盛的时候，很多组件厂商和很多客户都开始低价竞争，因为他们想要“为了出货，所以这导致了价格非常疲软，但即使码头价格疲软，出货量也不是很顺畅，因为降价并没有刺激需求面。”

以小米为例，小米集团（01810.HK）今年第三季度智能手机平均售价从2023年第三季度的每台997.0元增长10.6%至今年的每台1,102.2元；智能手机毛利率从2023年第三季度的每部997.0元下降到2024年第三季度的16.6%，下降到11.7%。总裁卢伟冰在财报电话会议上表示，这与智能手机的毛利率下降有关。第三季度是内存价格的高峰期，也是产品发布的时间和节奏。

因此，终端厂商减少库存备货的报道也不少。专注于模组等中下游环节的国内存储厂商面临着更大的压力。百威存储（688525.SH）、江波龙（301308.SZ）等国内存储模组厂商三季度净利润均出现亏损。情况。

值得一提的是，近期存储产品现货价格下跌严重，部分低容量内存模组近六个月跌幅超过40%。集邦咨询研究高级副总经理郭作荣告诉财联社，除了需求低迷之外，还有其他因素。 “近期存储现货价格大幅下跌。事实上，一些厂家已经将二手内存条拆成颗粒，打成普通的“消费内存出货量扰乱了整个市场”。

“但就企业级存储而言，现在非常火爆，我们经常接到客户的电话询问我们什么时候能做好、发货等等，所以目前的情况是非常两极分化的。”段西廷告诉财联社记者道。

根据TrendForce数据显示，今年Q4，在经历了Q3高达20%的涨价之后，企业级SSD单季度仍有望增长0-5%，而NAND整体预计将下滑0-5%。本季度增长 3-8%。

“AI的趋势还停留在数据中心，暂时还没有到达终端设备。”对于产生这种分歧的原因，段西廷总结道。

传统产品差异化趋势持续，HBM确定

“我认为明年这种分化实际上会非常严重。人工智能的普及将继续，但价格会下降；消费者存储将恢复到相对健康的状态。”倪黄忠说道。

传统DRAM方面，TrendForce分析师吴雅婷表示，2025年制程较为成熟的DDR4和LPDDR4X由于供应充足、需求减弱，价格一直呈下降趋势。 DDR5、LPDDR5X等先进制程产品的需求前景仍不明朗。上游买卖双方库存水平较高，不排除今年四季度末价格开始下跌。在此情况下，TrendForce预测明年传统DRAM每季度将下跌3-8%。

NAND方面，今年整体价格上涨约43-48%，TrendForce预计明年整体合约价将上涨15-20%，主要是由于企业年增23-28%——级SSD。不过，明年的涨价主要发生在下半年，Q2之前整体NAND市场价格相对稳定。

与目前传统DRAM和NAND的尴尬处境相比，因AI服务器而异军突起的HBM依然强势。

吴亚婷表示，部分HBM供应商已完成合同价格谈判，同类产品价格预计上涨10%；而HBM3e12hi的量产将进一步推高均价；总体而言，HBM的需求增长已达到117%。

当被问及其他存储芯片是否可以替代HBM用于GPU等AI芯片的生产时，段西廷直言：“从目前可见的未来来看，HBM还没有替代品。”

HBM 代表高带宽内存，属于 DRAM 类别。它由内部垂直堆叠的多层 DRAM Die 组成。每层Die通过硅通孔（TSV）技术与逻辑Die连接，使得8层和12层Die被封装在很小的空间内，从而实现小存储器和高带宽。兼容高传输速度。

段西廷解释说，GPU在进行大型语言模型运算时，会一次性吸收大量数据进行运算。提供的数据越多，计算效率就越高，因此存储数据的吞吐量非常高。单个DRAM的数据存储容量很低，数据吞吐量不够，因此需要使用DRAM堆叠而成的HBM。

目前，已量产出货的HBM中尚无国内厂商。不过，郭作荣对财联社记者表示，国产HBM可能在2-3年内出现重大突破。

“我之前就听说过国内内存工厂已经开始生产HBM了，我想以国内厂商的研发能力来说，两三年内应该可以看到国产HBM开始供货。从工厂的技术装备来看等硬能力我觉得就够了。”郭作荣告诉记者。

例如，长江存储集团旗下的武汉新芯公司今年3月发布了“高带宽内存核心先进封装技术研发及生产线建设”招标项目，表示将采用三维集成多晶圆堆叠技术，打造更高容量、带宽更大、功耗更小、生产效率更高的国产高带宽存储器（HBM）产品。近日，公司已向湖北证监局披露IPO辅导备案报告。

此外，长电科技（600584.SH）、新齐微电子（688630.SH）、通富微电子（002156.SZ）等封装厂商都在部署相关技术支持HBM生产。