国内存储芯片涨价潮持续，长江存储或上调渠道价格超10%

记忆芯片价格上涨的浪潮已经扩散到中国。

最近，有一个市场新闻说，在长江存储下的零售品牌预计将从今年4月提高频道取货价格，增长超过10％。 《每日科学与技术创新委员会的记者》希望从长江储存中验证这些信息。截至今天（3月17日），该公司尚未收到答复。

但是，最近的国内NAND产品价格上涨基本上已成为事实。

一家国内存储模块制造商的负责人今天（3月17日）告诉《科学技术创新委员会记者》记者，所有原始存储芯片制造商的价格（包括杨氏存储）今年正在上升。在同一时期，几个原始内存芯片制造商的报价将相对接近，差异不会很大。其中，“小容量NAND是第一个在这一轮价格上涨中做出回应的类别，也是第一种反弹的类型。”

“科学技术创新委员会”的记者进一步采访了国内记忆芯片制造商，并得知这一轮NAND价格上涨主要基于3D NAND产品，而今年2D N​​AND价格始终是稳定的，并且没有看到明显的价格转折点。在中国，只有长号存储在中国具有3D NAND的质量生产能力，但据说其当前的容量规模和供应量是有限的。

一些媒体报道还说，Micron，Samsung Electronics，SK Hynix和其他公司将从4月起正式增加其NAND闪存报价。

小容量NAND价格篮板

消费者刺激政策和原始存储工厂生产削减已成为最近逆转小型NAND市场的重要原因。

Sigmaintell半导体业务部高级分析师Wang Xudong在接受《科学和技术创新委员会》的一次采访中解释说，最近，消费激励政策（例如国家补贴）促进了对电视和可穿戴设备的消费者电力领域中对小型能力NAND NAND NAND NAND的需求的显着增加；同时，存储芯片制造商已转向大容量的NAND生产，而小容量EMMC和其他产品则由模块制造商进行，该模块制造商受原始Wafers的价格影响。

EMMC（嵌入式多媒体内存）是由NAND和控制器芯片包装的标准芯片产品。 Baiwei Storage和Jiangbolong等国内模块制造商已根据原始NAND推出了EMMC产品。

在2025年第一季度，晶圆价格上涨，模块制造商面临着低容量的NAND产品成本控制的压力。根据Sigmaintell的数据，以EMMC 32GB产品为例，在2025年第一季度，每月一个月的价格上涨3.8％。WangXudong表示，将来，国家补贴政策将继续促进，存储制造商将继续促进，并减少生产，并减少生产和需求。

据了解，许多国内芯片制造商目前正在计划NAND记忆芯片。除了长号记忆外，Zhaoyi Innovation，Dongxin Co.，Ltd。和Jiangbolong等制造商也具有相关的产品序列。

但是，Zhaoyi Innovation和Dongxin Co.，Ltd。Nand产品都是2D SLC NAND。

来自领先的国内记忆芯片制造商的一个人告诉科学技术创新委员会记者，目前的国内2D NAND记忆芯片价格稳定，没有价格上涨的迹象。 “今年的价格上涨主要集中在3D NAND上，例如原始的海外MLC/TLC/QLC NAND产品，而在国内制造商中，几乎只是扬特储存产品3D NAND质量生产的产品。”

据了解，SLC NAND闪存产品主要用于消费者，工业和汽车应用程序方案，例如网络通信设备，安全监控，物联网和便携式设备。

上述记忆芯片制造商说，从下游需求的角度来看，Flat 2d NAND的当前市场条件相对平坦，而且价格是否可以反弹取决于今年下半年是否有新的增长机会。

三星，Micron，SK Hynix和其他制造商以前已从SLC NAND Flash Market退出。由于成本效率的考虑，市场预计，将来，海外存储制造商可能会逐渐退出MLC NAND FLASH市场。以前，有一些市场新闻说，三星将在2025年6月停止MLC NAND的生产，但三星否认了这一消息。

Jiang Bolong先前透露，它具有512Mbit，1Gbit，2Gbit，2Gbit，4Gbit和8Gbit能力的自发功能SLC NAND闪存芯片。同时，该公司的第一个32GBIT 2D MLC NAND FLASH完成了流验证。

国内NAND制造商获取价格上涨的空间要释放

上述存储模块工厂的人说，随着AI应用刺激终端需求，小容量存储产品仍然有很大的空间。 “在原始的海外工厂被暂停后，相关的生产能力也有望进一步转移到国内市场。”

昆齐咨询公司Wang Xudong表示，国内制造商的存储技术正在不断改进，例如Xtacking Architecture的升级和294层NAND的批量生产，这与世界领先的制造商相当。

根据中国商人证券分析师Yan Fan于3月17日在传统的3D NAND建筑中发布的最新研究报告，外围电路约占芯片区域的20％-30％。 Xtacking技术可以达到比传统3D NAND更高的存储密度，芯片区域可以减少约25％，并且芯片具有更快的I/O接口速度。同时，在Xtacking架构中，平行模块化产品设计和制造的优点可以使产品开发时间缩短三个月，并且生产周期可以缩短20％。

但是，国内NAND的发展仍然受生产能力和规模的限制。来自存储模块制造商的人说，由于尚未发布国内生产能力，因此他们购买的国内NAND并不大。根据Sigmaintell的估计，中国大陆的存储制造商的年度NAND生产能力仅占全球NAND总生产能力的5％。

Wang Xudong说，但是，在全球价格上涨趋势下，国内NAND制造商有提高价格的空间，预计价格趋势将与国际市场同步。外国NAND制造商的生产削减导致了供应量的缩水，而中国市场中AI等新兴领域则推动了强劲的需求增长，为中国大陆的NAND制造商提供了机会，并有望满足需求并巩固其全球市场地位。

根据Sigmaintell的统计和预测，截至2025年第一季度末，原始存储工厂的清单通常保留在约12至16周。终端制造商库存预计将降至8-10周，在正常范围内。库存消耗和AI技术渗透将推动存储需求的增长。预计到2025年的第三季度，由于供需密集，存储价格可能会上涨。