台积电与英伟达合作生产Blackwell AI芯片，越南总理会见黄仁勋

12月5日，有报道称，台积电正在与英伟达谈判，在台积电位于美国亚利桑那州的新工厂生产Blackwell人工智能芯片。 NVIDIA于今年3月推出了Blackwell系列芯片。客户对该芯片的需求非常高，目前供不应求。据悉，台积电已经准备其美国新工厂明年初开始生产该芯片。

芯片领域的其他几则消息也引起了市场关注。有传言称SK海力士将采用台积电3nm工艺生产第六代高带宽内存HBM4。此外，有消息称，马斯克旗下的xAI已订购价值10.8亿美元的Nvidia GB200 AI服务器，并获得优先交付权。此外，12月5日，越南计划与投资部发表声明称，越南总理范明正当天会见了来访的英伟达首席执行官黄继勋。 NVIDIA 与越南政府签署协议，在该国建立人工智能研发中心。

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NVIDIA、台积电最新

据路透社报道，多位知情人士表示，台积电正在与英伟达进行谈判，讨论在台积电位于美国亚利桑那州的新工厂生产英伟达的 Blackwell 人工智能芯片。知情人士称，台积电正准备明年初开始生产。台积电和英伟达拒绝置评。

Blackwell是英伟达今年3月发布的一款AI芯片。英伟达表示，生成式人工智能和加速计算领域的客户对其 Blackwell 芯片的需求很高，目前供不应求。据悉，在为聊天机器人提供答案等任务中，Blackwell 芯片的速度提高了 30 倍，功耗降低了 25 倍。

知情人士表示，上述协议一旦敲定，将为台积电亚利桑那州工厂争取到另一个客户，该工厂计划明年开始量产。目前，苹果和AMD是台积电亚利桑那州新工厂的现有客户。

报道提到，虽然台积电计划在亚利桑那州生产 Nvidia Blackwell 芯片的前端工艺，但这些芯片仍需要运回台湾进行封装。这是因为亚利桑那州工厂目前不具备晶圆基板上芯片 (CoWoS) 封装能力，而这是 Blackwell 芯片所需的关键技术。台积电所有的CoWoS封装产能目前都集中在中国台湾。

全球最大的代工芯片制造商台积电正在投资数百亿美元在美国凤凰城建设三座工厂。 NVIDIA目前已全面生产Blackwell芯片，并正在努力明年扩大产能，但仍将供不应求。

研究公司Creative Strategies首席执行官兼首席分析师Ben Bajarin表示：“与之前的芯片相比，Blackwell采用了更先进的封装技术，这增加了一个难题。” Bajarin预测，Nvidia的Blackwell芯片将在2025年全年销售，将出现供大于求的情况。

英伟达是人工智能热潮的主要受益者。今年以来，该公司股价上涨近两倍，总市值超过3.5万亿美元。是全球市值第二高的上市公司，仅低于排名第一的苹果公司。 1000亿美元。

目前，英伟达下一代旗舰AI芯片Blackwell正在积极交付。第三季度，包括微软、甲骨文和OpenAI在内的许多终端客户已经开始接收该公司的下一代人工智能芯片Blackwell。英伟达创始人兼首席执行官黄仁勋日前表示，Blackwell 已“全面投入生产”。

另外两个重大谣言

近日，DigiTimes 报道称，马斯克旗下的人工智能初创公司 xAI 已向英伟达订购了价值 10.8 亿美元的 GB200 AI 服务器，并获得了优先交付权。 Nvidia 预计将于 2025 年 1 月开始交付这些服务器，并将由富士康制造。

据报道，马斯克直接联系了Nvidia首席执行官黄仁勋，讨论xAI的GB200服务器订单。优先访问Nvidia的AI服务器将帮助xAI更好地实现其目标。

黄仁勋和马斯克的关系一直很好。黄仁勋曾多次公开称赞特斯拉，称“特斯拉在自动驾驶汽车方面遥遥领先。但有一天，每一辆车都必须具备自动驾驶能力，这样更安全、更方便、更有趣。” ”

上个月，有消息称马斯克正在与 Nvidia 讨论对 xAI 的潜在投资。当时，黄仁勋拒绝对相关传闻发表评论，但认可了xAI团队的努力。

今年11月下旬，xAI完成50亿美元融资后估值达到约500亿美元，六个月内估值几乎翻倍。据知情人士透露，最新一轮的投资者包括卡塔尔投资局、Valor Equity Partners、红杉资本和安德森霍洛维茨基金。近日，还有消息称，马斯克旗下的xAI公司计划最早在12月为其Grok聊天机器人推出独立应用程序，与OpenAI竞争。

近日有消息称SK海力士将采用台积电3nm生产HBM4。 《韩国经济新闻》报道称，有传言韩国存储芯片制造商SK海力士将应重要客户的要求，于2025年下半年采用台积电3nm工艺为客户生产定制的第六代高带宽存储器HBM4。

报道称，消息人士透露，SK 海力士已决定与台积电合作，最快明年 3 月发布采用台积电 3nm 工艺生产的基础芯片的垂直堆叠 HBM4 原型机，主要出货客户为 NVIDIA 。

根据现有消息，SK海力士将把其HBM4的基础芯片交给台积电的3nm工艺，相比之前传闻的5nm工艺，预计会带来20%到30%的提升。此前有传言三星HBM4的基础芯片采用4nm工艺制造，这也意味着SK海力士的HBM4可能比三星更有优势。

近日有业内人士爆料，SK海力士改用台积电3nm工艺制造HBM4基础芯片，以回应三星表示将采用4nm生产HBM4基础芯片。因此，三星现在也在考虑生产 3nm 的 HBM4 基础芯片，甚至可能选择台积电的 3nm 工艺。