三星表示,为了提高NAND生产效率并降低成本,它通过采用两项关键创新技术减少了光刻胶的使用。首先,三星在生产过程中优化了每分钟转数和镀膜机速度,在保持最佳蚀刻条件的同时减少了PR的使用,在保持镀膜质量的同时显着节省了成本。其次,PR应用后的蚀刻工艺得到了改进,尽管使用的材料更少,但仍能达到相同或更好的结果。据了解,三星已将3DNAND生产的PR使用量减少了一半。但三星此举也意味着东进半导...
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