半导体制造工艺中基于衍射的套刻误差测量技术研究

当半导体制造工艺发展到22nm节点及以下时，随着多重图案化技术的引入，对不同工艺层之间的重叠误差的要求越来越高。叠加测量技术可分为基于像平面图像识别的测量技术和基于衍射原理的DBO（Diffraction Based Overlay）测量技术。与基于图像识别的方法相比，基于衍射的重叠误差测量具有测量结果重复性更好、设备引起的测量误差TIS（Tool Introduced Shift）更低、能够适应更小的特征尺寸等特点。它已成为大规模集成电路22nm及以下工艺技术节点广泛应用的一种叠层测量方法。

为了测量重叠误差，需要在晶圆上专门设计特定的重叠标记。重叠误差器件测量的性能很大程度上取决于重叠标记的设计。基于计算光刻的DBO叠印标记优化工具可以模拟叠印误差测量的关键指标，从而根据模拟结果给出性能更好的叠印标记设计方案，从而缩短标记开发周期，提高整体性能。光刻工艺。流程效率和质量。

产品介绍

基于固体计算光刻平台PanGen®，东方晶源推出了DBO叠印标记模拟优化产品PanOVL，可从多个关键指标维度对叠印标记进行计算模拟。同时，考虑到大规模模拟海量重叠标记的应用场景，PanOVL引入了分布式计算框架，大大加快了通过模拟寻找更好的重叠标记的效率。

产品特点

东方晶源的PanOVL软件采用PanGen OPC®引擎和PanGen Sim®严格电磁场仿真引擎，借助GPU+CPU混合平台和PanGen®分布式计算框架，可以进行大规模叠印标记仿真并集成多个方面。仿真结果优化了覆盖标记方案，在实际光刻过程中具有更好的性能。 PanOVL可以识别具有更大工艺窗口的叠印标记，提供满足良好信噪比的叠印标记，并具有更能抵抗工艺干扰的检测信号。它还可以模拟曝光过程中的像差对叠印标记的影响，提供使叠印测量结果更符合设备的实际情况。

前景

东方晶源PanOVL产品的发布，丰富了PanGen®计算光刻平台产品矩阵。同时，以PanOVL产品为纽带，可以加强与产业链上下游的合作，为客户提供更全面的服务，帮助客户提升晶圆制造能力。方面的改进。 PanOVL的研发将进一步巩固东方晶源技术在计算光刻领域的全面性和可扩展性，为业界带来更多领先和前瞻性的晶圆制造EDA解决方案。